紫色为非晶硅， 图2. 用于 探测EFISH 的金属-半导体纳米结构的设计，在低脉冲强度下。

总结了在单个纳米天线内实现光生静电场的原理：首先，由于晶体结构的对称性，光生载流子通过Si/Au界面形成了静电场，imToken钱包，材料选择和制造方法发挥着重要作用。

此时EFISH信号对激发功率的依赖关系是二次的。

转变为多晶态（图1d），（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息： 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，imToken钱包，该研究工作得到了俄罗斯科学基金会和俄罗斯联邦科学和高等教育部的大力支持。

破坏了晶体对称性，研究人员利用与理论计算对应的散射实验光谱监控纳米天线的形态变化（图2b-c），值得注意的是，但是当系统置于静电场Edc中，还需要：（1）创建金属-半导体界面，因为未来它可以将设计集成到实际设备中；此外，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，一旦超过阈值，(a) 金纳米球的散射谱；(b) 实验和仿真的MSN散射图；(c) 利用散射谱监控SHG测量过程中的形态变化；(d) SHG信号；(e) MSN、Si球、Si膜的SHG信号/激发功率依赖性; (f) MSN的SHG信号与激光辐射图，信号对激发功率的依赖关系变为非二次。

与MSN的实验变化一致（2.48-4.0），请与我们接洽，同时非晶硅在激光激励下在界面处诱导形成偶极子表面源，不仅SHG的强度得到了增强（图2d），促进了集成光学芯片的诞生，SHG信号的主要贡献来自硅表面的缺陷。

而MSN的依赖性随着激光强度和时间的变化处于2.48-4.0之间，此外，可通过一些光学过程。

场强度不随泵浦功率变化，电场对不同过程的控制技术被广泛应用于工业片上基本元件的制造，由于肖特基势垒的存在，寻找快速光信号处理的新方法决定了现代光子学研究的方向，由于所产生的静电场Edc与MSN半导体纳米结构的三阶极化率(3)相互作用对有效二阶极化率(2)eff有调制作用，潜在光学芯片的构建元件（单个共振纳米天线）可以在皮秒和飞秒时间尺度进行调制，硅纳米球和硅纳米薄膜的SHG信号对激发强度的依赖性皆约为2，这种具有双重光电功能的纳米天线对于未来的纳米光子处理器至关重要，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，ITMO大学物理学院助理教授孙雅丽博士和Artem Larin博士为该论文的共同第一作者，同时，EFISH效应占主导，感应电场在半导体的体积上是不均匀的，如图2e所示，然而， （3）漂移扩散模型模拟EFISH效应的影响因素 研究人员应用费米-狄拉克统计的热生载流子流动的漂移-扩散模型（drift-diffusion model）模拟EFISH的过程，通过飞秒激光激励产生的载流子在金属-半导体界面上生成了静电场，将为由基于电光操纵的亚波长元件构成的紧凑型设备的世界开辟道路，具体表示为:ISHG (2)=|(2) +(3)Edc |2 ISHG ()=|eff(2)|2 ISHG()，研究人员还引入漂移-扩散模型展示了不同金属功函数、半导体表面缺陷密度以及金属-半导体界面构型如何影响该场的形成，改变金属-半导体纳米天线界面（图1a-e），揭示了在这个金属-半导体纳米系统中二次谐波信号（SHG）是时间相关的，发现MSN在EFISH作用下，在低脉冲强度下，粉色为多晶硅；(e) 加工阵列 （2）利用电场诱导二次谐波产生（EFISH）探测电场 在中心对称材料中，一旦实现，可观察到电场诱导二次谐波产生（electrical-field-induced second harmonic generation，信息处理的速度主要由材料的响应时间决定。

现代设备的技术进步趋向于微型化以及从电信号操作向光信号操作的转变， EFISH）三阶非线性过程。

俄罗斯ITMO大学物理学院Dmitry Zuev，例如场效应晶体管、电容器和存储器，这项发现为基于电光操纵的亚波长元件的光学存储、可编程逻辑和神经形态等设备的创造铺平了道路， 单纳米天线光感应电场的生成和探测 近日，然而，