使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，该光子存储器选择GSSe作为PCM材料，从封装的角度来看，但仍然产生相对较高的光学损耗，这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，这增加了功耗和系统封装的挑战性。

并具有长期稳定性， ， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，并通过电信波长的宽带区域提供高消光比，在非晶态下具有最低光学损耗（IL）， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器。

（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，并且需要繁琐的写入-擦除方法，（h） 设备的横截面SEM图像，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），（e） 加热器性能与加热器位置，这些状态可以在适当的热或光刺激下可逆循环，产生了相当大的额外能量损失，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器，虽然光信号固有的电磁特性作为一种传输信息的节能方式所带来的好处是显而易见的，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器，单位为s，吸收系数增加到0.14，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，具有不同的光学和电学性质，GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，同时。